參數(shù)資料
型號： SGL40N150D
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導、轉(zhuǎn)換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 419K
代理商： SGL40N150D
2000 Fairchild Semiconductor International
SGL40N150D Rev. A
S
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output
Characteristics
Fig 3. Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Case Temperature
Fig 4. Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
20V
15V
10V
12V
V
GE
= 8V
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
25
50
75
100
125
1
2
3
4
5
6
I
C
= 40A
I
C
= 80A
Common Emitter
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
C
C
Case Temperature, T
C
[
o
C]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
40A
80A
20A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
0
C
40A
80A
20A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
Common Emitter
V
GE
=0V, f=1MHz
T
C
=25
o
C
C
ies
C
oes
C
res
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL40N150 Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導、轉(zhuǎn)換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL50N60RUFD Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60 Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60RUF Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Leaded Process Compatible:Yes
SGL5N150UF General Description
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGL40N150DTU 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL40N150TU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL41-20 制造商:GI 功能描述: 制造商:GSI Technology 功能描述: 制造商:GS 功能描述:General Purpose 20V SMD (Surface Mount) Diode 制造商:GS 功能描述:General Purpose 20V SMD (Surface Mount) Diode - free partial T/R at 500. 制造商:GENERAL_SEMI 功能描述:
SGL41-20/1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A 20V DO-213AB RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SGL41-20/46 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/20V Io/1A T/R RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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