參數(shù)資料
型號： SGB07N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 374K
代理商： SGB07N120
Preliminary
SGP07N120
SGB07N120
Power Semiconductors
7
Mar-00
E
,
S
0A
5A
10A
15A
20A
0mJ
1mJ
2mJ
3mJ
4mJ
5mJ
E
on
*
E
off
E
ts
*
E
,
S
0
20
40
60
80
100
0.0mJ
0.5mJ
1.0mJ
1.5mJ
2.0mJ
2.5mJ
E
ts
*
E
on
*
E
off
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 13. Typical switching energy losses
as a function of collector current
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 47
)
R
G
,
GATE RESISTOR
Figure 14. Typical switching energy losses
as a function of gate resistor
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 8A)
E
,
S
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0.0mJ
0.5mJ
1.0mJ
1.5mJ
2.0mJ
E
ts
*
E
on
*
E
off
Z
t
,
T
1μs
10μs
100μs
t
p
,
PULSE WIDTH
1ms
10ms 100ms
1s
10
-3
K/W
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
single pulse
D
=0.5
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 15. Typical switching energy losses
as a function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 8A,
R
G
= 47
)
Figure 16. IGBT transient thermal
impedance as a function of pulse width
(
D
=
t
p
/
T
)
*)
E
and
E
include losses
due to diode recovery.
*)
E
and
E
include losses
due to diode recovery.
*)
E
on
and
E
ts
include losses
due to diode recovery.
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(K/W )
0.1020
0.40493
0.26391
0.22904
τ
,
(s)
=
0.77957
0.21098
0.01247
0.00092
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGP07N120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
SGB10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGB15N60HS High Speed IGBT in NPT-technology
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SGB10N60A_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
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