參數資料
型號： SGB07N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴散核武器條約IGBT的技術（不擴散技術中的快速第S - IGBT的）
文件頁數： 3/11頁
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代理商： SGB07N120
Preliminary
SGP07N120
SGB07N120
Power Semiconductors
3
Mar-00
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
27
29
440
21
0.6
0.4
1.0
35
38
570
27
0.8
0.55
1.35
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=800V,
I
C
=8A,
V
GE
=15V/0V,
R
G
=47
,
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
t
d(on)
-
30
36
Rise time
t
r
-
26
31
Turn-off delay time
t
d(off)
-
490
590
Fall time
t
f
-
30
36
ns
Turn-on energy
E
on
-
1.0
1.2
Turn-off energy
E
off
-
0.7
0.9
Total switching energy
E
ts
T
j
=150
°
C
V
CC
=800V,
I
C
=8A,
V
GE
=15V/0V,
R
G
=47
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
-
1.7
2.1
mJ
相關PDF資料
PDF描述
SGP07N120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術中的快速S-IGBT)
SGB10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGP10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGW10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGB15N60HS High Speed IGBT in NPT-technology
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參數描述
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SGB10N60A_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
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