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參數(shù)資料
| 型號： | SFH421 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package |
| 中文描述： | 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | SFH421 |
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 421
SFH 426
Gruppierung der Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping at radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
μ
s
I
e
> 4
mW/sr
I
e typ.
48
mW/sr
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
λ
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
μ
s
1
10
0
750
Ι
rel
OHR00877
800
850
900
950 nm 1000
λ
20
40
60
80
%
100
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
0
1
2
3
4
5
6
V
8
A
Ι
F
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
μ
s
2
10
I
e
100 mA =
f
(
I
F
)
10
OHR00878
Ι
e
F
Ι
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
10
1
10
2
10
4
mA
e
Ι
(100mA)
3
10
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
OHR00883
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
120
mA
20
40
60
80
100
T
A
120
C
= 450 K/W
thjA
R
Radiation characteristics
S
rel
=
f
(
)
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
1.0
0.8
0.6
0.4
0
10
20
40
30
OHL01660
50
60
70
80
90
100
0
20
40
60
80
100
120
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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