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參數(shù)資料
| 型號： | SFH421 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package |
| 中文描述： | 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | SFH421 |
SFH 421
SFH 426
Semiconductor Group
3
1997-11-01
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
880
nm
λ
80
nm
±
60
Grad
deg.
mm
2
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.16
Abmessungen der aktiven Chipflche
Dimension of the active chip area
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
0.4
×
0.4
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchla
β
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
μ
s
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsflu
β
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ
,
I
F
= 100 mA
0.5
μ
s
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.5
(≤
1.8)
3.0
(≤
3.8)
0.01
(≤
1
)
V
V
μ
A
Φ
e
23
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
– 2
mV/K
TC
λ
+ 0.25
nm/K
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFH426 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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