參數(shù)資料
型號(hào)： SA58631
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： 3 W BTL audio amplifier
中文描述： 3瓦橋接音頻放大器
文件頁數(shù)： 6/19頁
文件大?。?/td> 175K
代理商： SA58631
SA58631
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Preliminary data sheet
Rev. 01 — 1 December 2005
6 of 19
Philips Semiconductors
SA58631
3 W BTL audio amplifier
13. Application information
14. Test information
14.1 Test conditions
The junction to ambient thermal resistance, R
th(j-a)
= 27.7 K/W for the HVSON8 package
when the exposed die attach paddle is soldered to 5 square inch area of 1 ounce copper
heat spreader on the demo PCB. The maximum sine wave power dissipation for
T
amb
= 25
°
C is:
.
Thus, for T
amb
= +85
°
C the maximum total power dissipation is:
.
The power dissipation versus ambient temperature curve (
Figure 5
) shows the power
derating profiles with ambient temperature for three sizes of heat spreaders. For a more
modest heat spreader using 1.5 square inch area on the top side of the PCB, the
R
th(j-a)
is 31.25 K/W. When the package is not soldered to a heat spreader, the R
th(j-a)
increases to 83.3 K/W.
Fig 3.
Application diagram of SA58631 BTL differential output configuration
002aac007
R2
56 k
SA58631
OUT
IN+
IN
GND
SVR
OUT+
MODE
7
4
3
2
1
5
8
6
C2
47
μ
F
R1
11 k
C1
1
μ
F
V
I
RL
100
μ
F
100 nF
V
CC
Gain
2
R1
------
×
=
--------------------
27.7
4.5
W
=
--------------------
27.7
2.35
W
=
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