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參數(shù)資料
| 型號： | S71GL064A08 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產品，閃存和RAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/134頁 |
| 文件大?。?/td> | 2383K |
| 代理商： | S71GL064A08 |
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February 8, 2005 S71GL064A_00_A2
S71GL064A based MCPs
101
Advance
Informatio n
1
One-quarter of die
180000h - 1FFFFFh
512Kb x 16
8Mb
1
0
One-half of die
100000h - 1FFFFFh
1Mb x 16
16Mb
Table 29. Low Power ICC Characteristics (32M)
Item
Symbol
Test
Array Partition
Typ
Max
Unit
PAR Mode Standby Current IPAR
VIN = VCC or 0V,
Chip Disabled, tA= 85oC
1/4 Array
75
A
1/2 Array
90
A
RMS Mode Standby Current IRMSSB
VIN = VCC or 0V,
Chip Disabled, tA= 85oC
8Mb Device
75
A
16Mb Device
90
A
Deep Sleep Current
IZZ
VIN = VCC or 0V,
Chip in ZZ mode, tA= 85oC
10
A
Table 30. Address Patterns for PAR (A3= 0, A4=1) (16M)
A2 A1
A0
Active Section
Address Space
Size
Density
0
1
One-quarter of die
00000h - 0FFFFh
256Kb x 16
4Mb
0
1
0
One-half of die
00000h - 7FFFFh
512Kb x 16
8Mb
x
0
Full die
00000h - FFFFFh
1Mb x 16
16Mb
1
One-quarter of die
C0000h - FFFFh
256Kb x 16
4Mb
1
0
One-half of die
80000h - 1FFFFFh
512Kb x 16
8Mb
Table 31. Address Patterns for RMS (A3 = 1, A4 = 1) (16M)
A2 A1
A0
Active Section
Address Space
Size
Density
0
1
One-quarter of die
00000h - 0FFFFh
256Kb x 16
4Mb
0
1
0
One-half of die
00000h - 7FFFFh
512Kb x 16
8Mb
1
One-quarter of die
C0000h - FFFFFh
256Kb x 16
4Mb
1
0
One-half of die
80000h - FFFFFh
512Kb x 16
8Mb
Table 32. Low Power ICC Characteristics (16M)
Item
Symbol
Test
Array Partition
Typ
Max
Unit
PAR Mode Standby Current
IPAR
VIN = VCC or 0V,
Chip Disabled, tA= 85oC
1/4 Array
65
A
1/2 Array
80
RMS Mode Standby Current
IRMSSB
VIN = VCC or 0V,
Chip Disabled, tA= 85oC
4Mb Device
65
A
8Mb Device
80
Deep Sleep Current
IZZ
VIN = VCC or 0V,
Chip in ZZ# mode, tA= 85oC
10
A
Table 28. Address Patterns for RMS (A3 = 1, A4 = 1) (32M) (Continued)
A2 A1
A0
Active Section
Address Space
Size
Density
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PDF描述 |
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