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參數(shù)資料
| 型號： | S71GL064A08 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品，閃存和RAM |
| 文件頁數(shù)： | 15/134頁 |
| 文件大?。?/td> | 2383K |
| 代理商： | S71GL064A08 |
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February 8, 2005 S71GL064A_00_A2
pSRAM Type 7
109
Adva nc e
inf o r m at ion
AC Characteristics
Power Down Parameters
Notes:
1. Applicable also to power-up.
2. Applicable when 4Mb and 8Mb Partial modes are programmed.
Other Timing Parameters
Notes:
1. Some data might be written into any address location if tCHWX(min) is not satisfied.
2. The Input Transition Time (tT) at AC testing is 5ns as shown in below. If actual tT is longer than 5ns, it can violate the AC
specification of some of the timing parameters.
Parameter
Symbol
16M
32M
64M
Unit
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
CE2 Low Setup Time for Power Down Entry
tCSP
10
—
10
—
10
—
ns
CE2 Low Hold Time after Power Down Entry
tC2LP
80
—
65
—
65
—
ns
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power
Down Exit [SLEEP mode only]
tCHH
300
—
300
—
300
—
s
1
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power
Down Exit [not in SLEEP mode]
tCHHP
N/A
1
—
1
—
s
2
CE1# High Setup Time following CE2 High after Power
Down Exit
tCHS
0
—
0
—
0
—
ns
1
Parameter
Symbol
16M
32M
64M
Unit
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
CE1# High to OE# Invalid Time for Standby Entry
tCHOX
10
—
10
—
10
—
ns
CE1# High to WE# Invalid Time for Standby Entry
tCHWX
10
—
10
—
10
—
ns
1
CE2 Low Hold Time after Power-up
tC2LH
50
—
50
—
50
—
s
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power-up
tCHH
300
—
300
—
300
—
s
Input Transition Time
tT
1
25
1
25
1
25
ns
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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