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參數(shù)資料
| 型號： | S29WS128N0LBFI013 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256/128/64兆位的CMOS 1.8伏只有同時讀/寫突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 69/99頁 |
| 文件大?。?/td> | 1091K |
| 代理商： | S29WS128N0LBFI013 |
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January 25, 2005 S29WS-N_00_G0
69
Ad vance
Information
11.8.2 Synchronous/Burst Read
Notes:
1. Addresses are latched on the first rising edge of CLK.
2. Not 100% tested.
3. The content in this document is Advance information for the S29WS064N and
S29WS128N. Content in this document is Preliminary for the S29W256N.
Parameter
Description
54 MHz
66 MHz
80 MHz
Unit
JEDEC
Standard
tIACC
Latency
Max
80
ns
tBACC
Burst Access Time Valid Clock to Output Delay Max
13.5
11.2
9
ns
tACS
Address Setup Time to CLK (Note 1)
Min
5
4
ns
tACH
Address Hold Time from CLK (Note 1)
Min
7
6
ns
tBDH
Data Hold Time from Next Clock Cycle
Min
4
3
ns
tCR
Chip Enable to RDY Valid
Max
13.5
11.2
9
ns
tOE
Output Enable to Output Valid
Max
13.5
11.2
ns
tCEZ
Chip Enable to High Z (Note 2)
Max
10
ns
tOEZ
Output Enable to High Z (Note 2)
Max
10
ns
tCES
CE# Setup Time to CLK
Min
4
ns
tRDYS
RDY Setup Time to CLK
Min
5
4
3.5
ns
tRACC
Ready Access Time from CLK
Max
13.5
11.2
9
ns
tCAS
CE# Setup Time to AVD#
Min
0
ns
tAVC
AVD# Low to CLK
Min
4
ns
tAVD
AVD# Pulse
Min
8
ns
tAOE
AVD Low to OE# Low
Max
38.4
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29WS128N0LBFI110 | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| S29WS128N0LBFW010 | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| S29WS256N0PBAW011 | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| S29WS256N0LBFI011 | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S29WS128N0LBFW010 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
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