參數(shù)資料
型號: S29JL032H70TAI022
廠商: SPANSION LLC
元件分類: DRAM
英文描述: 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
中文描述: 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝: MO-142DD, TSOP-48
文件頁數(shù): 51/66頁
文件大小: 1556K
代理商: S29JL032H70TAI022
2005
3
9
S29JL032HA11
S29JL032H
51
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC
特性
リードオンリ動作(注
1
:
1.
各パラメータの詳細(xì)なタイミングについてはタイミング図を參照してください。
2.
テスト仕様については,図
11
および表
15
を參照してください。
3.
データ端子に
50
Ω の終端抵抗を接続し,バイアス電圧
V
CC
/ 2
の條件で測定。
OE# High
から
V
CC
/ 2
駆動のデータバスまでの
時間を
t
DF
と想定。
.
パラメータ
説明
測定條件
スピードバージョン
JEDEC
標(biāo)準(zhǔn)
60
70
90
単位
t
AVAV
t
RC
リードサイクルタイム
最小値
60
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
アドレスから出力までの遅延
CE#,
OE# = V
IL
最大値
60
70
90
ns
t
ELQV
t
CE
チップイネーブルからデータ出力までの遅延
OE# = V
IL
最大値
60
70
90
ns
t
GLQV
t
OE
出力イネーブルから出力までの遅延
最大値
25
30
35
ns
t
EHQZ
t
DF
チップイネーブルから出力高インピーダンスまで
(注
3
最大値
16
ns
t
GHQZ
t
DF
出力イネーブルから出力高インピーダンスまで
(注
3
最大値
16
ns
t
AXQX
t
OH
前サイクルデータ出力保持時間,
CE#
または
OE#
(いずれか早い方)
最小値
0
ns
t
OEH
出力イネーブル保持時間
リード
最小値
0
ns
トグルおよび
Data#
ポーリング
最小値
5
10
ns
t
OH
t
CE
WE#
CE#
OE#
HIGH Z
HIGH Z
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
RH
t
OE
t
RH
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
13.
リード動作タイミング
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29JL032H70TAI023 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI210 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI211 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI212 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI213 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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S29JL032H70TAI210 功能描述:閃存 90NS 3V 32MB 29DL800 TP BT BLCK IC-FEPROM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29JL032H70TAI211 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
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