參數(shù)資料
型號(hào): S29JL032H70TAI022
廠商: SPANSION LLC
元件分類: DRAM
英文描述: 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
中文描述: 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝: MO-142DD, TSOP-48
文件頁數(shù): 13/66頁
文件大?。?/td> 1556K
代理商: S29JL032H70TAI022
2005
3
9
S29JL032HA11
S29JL032H
13
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
デバイス
バス動(dòng)作
このセクションでは,デバイス
バスの動(dòng)作條件および使用方法について説明します。デバ
イス
バス動(dòng)作は,內(nèi)部コマンドレジスタにより開始します。コマンドレジスタ自身は,ア
ドレス可能なメモリロケーションを占有しません。このレジスタは,コマンドならびにコ
マンドの実行に必要なアドレスやデータ情報(bào)を格納するためのラッチとなります。レジス
タの內(nèi)容は,內(nèi)部のステートマシンへの入力となります。ステートマシンからの出力によ
り,デバイスの機(jī)能が制御されます。表
1
にデバイス
バス動(dòng)作と各入力條件,制御レベ
ル,ならびに出力をまとめてあります。それぞれの動(dòng)作についてはこの後,詳しく説明し
ます。
1. S29JL032H
デバイス
バス動(dòng)作
凡例:
L =
論理
Low = V
IL
H =
論理
High = V
IH
,
V
ID
= 11.5–12.5 V
,
V
HH
= 9.0
±
0.5V
,
X =
任意,
SA =
セクタアドレス,
A
IN
=
アドレス入力,
D
IN
=
データ入力,
D
OUT
=
データ出力
注:
1.
アドレスは,ワードモード時(shí)
A20
A0
BYTE# = V
IH
),バイトモード時(shí)
A20
A-1
BYTE# = V
IL
)となります。
2.
セクタプロテクト機(jī)能,およびセクタプロテクト解除機(jī)能は,プログラミング裝置からも実行できます。
「セクタ
/
セク
タブロック
プロテクト設(shè)定
/
プロテクト解除」
のセクションを參照してください。
3. WP# / ACC = V
IL
印加時(shí),一番外側(cè)のブートセクタはプロテクトされたままになります。
WP# / ACC = V
IH
を印加すると,一
番外側(cè)のブートセクタ
2
個(gè)のプロテクト狀態(tài)は,セクタ
/
セクタブロック
プロテクト設(shè)定
/
プロテクト解除」で説明している方
法により設(shè)定された直前の狀態(tài)(プロテクトまたはプロテクト解除)に従います。
WP# / ACC = V
HH
を印加すると,セクタは
すべてプロテクト解除されます。
動(dòng)作
CE#
OE#
WE# RESET#
WP#/ACC
(注
1
アドレス
DQ15
DQ8
DQ7
DQ0
BYTE# =
V
IH
BYTE# = V
IL
リード
L
L
H
H
L/H
A
IN
D
OUT
DQ14–DQ8 = High-
Z, DQ15 = A-1
D
OUT
ライト
L
H
L
H
(注
3
A
IN
D
IN
D
IN
スタンバイ
V
CC
±
0.3 V
X
X
V
CC
±
0.3 V
L/H
X
High-Z
High-Z
High-Z
出力ディセーブル
L
H
H
H
L/H
X
High-Z
High-Z
High-Z
リセット
X
X
X
L
L/H
X
High-Z
High-Z
High-Z
セクタプロテクト
(注
2
L
H
L
V
ID
L/H
SA, A6 = L,
A1 = H, A0 = L
X
X
D
IN
セクタプロテクト
解除(注
2
L
H
L
V
ID
(注
3
SA, A6 = H,
A1 = H, A0 = L
X
X
D
IN
一時(shí)的セクタプロ
テクト解除
X
X
X
V
ID
(注
3
A
IN
D
IN
High-Z
D
IN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29JL032H70TAI023 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI210 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
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S29JL032H70TAI212 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
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