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參數(shù)資料
| 型號： | S29JL032H70TAI022 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 22/66頁 |
| 文件大小： | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H70TAI022 |
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22
S29JL032H
S29JL032HA11 2005
年
3
月
9
日
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
オートセレクトモード
オートセレクトモードは，製造メーカ，デバイス
ID
，セクタプロテクトの有無を表す識別
子コードを
DQ7
～
DQ0
から出力します。このモードは，本來，プログラムするデバイス
に対応したプログラミングアルゴリズムをプログラミング裝置が自動的に設(shè)定できるよう
に設(shè)計されたものです。ただし，オートセレクトコードは，コマンドレジスタにより，シ
ステムに実裝した狀態(tài)でもアクセスすることができます。
プログラミング裝置を使用する場合，オートセレクトモードに入るにはアドレス端子
A9
に
V
ID
が與えられなければなりません。また，アドレス端子は表
5
に従っていなければな
りません。さらに，セクタプロテクトの設(shè)定を検証する場合は，セクタアドレスが適切な
上位アドレスビットに與えられる必要があります。その他のアドレスビット（內(nèi)容は「任
意」）を表
5
に示します。必要なビットがすべて條件通りに設(shè)定されていると，プログラ
ミング裝置は
DQ7
～
DQ0
から識別子コードをリードすることができます。ただし，シス
テムに実裝したまま，たとえば，
S29JL032H
をシステムに実裝してイレーズまたはプロ
グラムする場合，
A9
端子に高電圧を印加しなくても，コマンドレジスタからオートセレ
クトコードにアクセスすることもできます。コマンドシーケンスを表
13
に示します。オー
トセレクトコマンドの
3
回目のライトサイクル時にアドレスビット
A20
，
A19
，および
A18
からバンクアドレス（
BA
）がアサートされると，ホストシステムはそのバンクから
オートセレクトデータをリードし，すぐに別のバンクからデータアレイを，オートセレク
トモードを終了することなく，リードすることができます。
システムに実裝した狀態(tài)でオートセレクトコードにアクセスするには，表
13
に示すように，ホ
ストシステムからコマンドレジスタによりオートセレクトコマンドを?qū)g行します。この場合，
V
ID
を必要としません。詳しくは，「オートセレクトコマンドシーケンス」を參照してください。
表
5. S29JL032H
オートセレクトコード（高電圧方式）
凡例：
L =
論理
Low = V
IL
，
H =
論理
High = V
IH
，
BA =
バンクアドレス，
SA =
セクタアドレス，
X =
任意。
説明
CE# OE#
WE#
A20
～
A12
A11
～
A10
A9
A8
～
A7
A6
A5
～
A4
A3
A2
A1
A0
DQ15
～
DQ8
DQ7
～
DQ0
BYTE#
= V
IH
BYTE#
= V
IL
製造メーカ
ID
Spansion
製品
：
L
L
H
BA
X
V
ID
X
L
X
L
L
L
L
X
X
01h
デ
（
，
0
）
リード
サイクル
3
サイクル
1
L
L
H
BA
X
V
ID
X
L
X
L
L
L
H
22h
X
7Eh
リード
サイクル
2
L
H
H
H
L
22h
0Ah
リード
L
H
H
H
H
22h
00h
（ボトムブート）
01h
（トップブート）
デバイス
ID
（モデル
21
，
22
）
L
L
H
BA
X
V
ID
X
L
X
X
X
L
H
22h
X
56h
（ボトムブート）
55h
（トップブート）
デバイス
ID
（モデル
31
，
32
）
L
L
H
BA
X
V
ID
X
L
X
X
X
L
H
22h
X
53h
（ボトムブート）
50h
（トップブート）
デバイス
ID
（モデル
41
，
42
）
L
L
H
BA
X
V
ID
X
L
X
X
X
L
H
22h
X
5Fh
（ボトムブート）
5Ch
（トップブート）
セクタプロテクトの
検証
L
L
H
SA
X
V
ID
X
L
X
L
L
H
L
X
X
01h
（保護設(shè)定）
00h
（保護解除）
SecSi
インジケータ
ビット
（
DQ6
，
DQ7
）
L
L
H
BA
X
V
ID
X
L
X
L
L
H
H
X
X
82h
（工場にてロック
設(shè)定），
42h
（ユーザによる
ロック設(shè)定），
02h
（工場
/
ユーザによる
ロック設(shè)定以外）
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H70TAI023 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI210 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI211 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI212 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI213 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| S29JL032H70TAI210 | 功能描述:閃存 90NS 3V 32MB 29DL800 TP BT BLCK IC-FEPROM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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| S29JL032H70TAI212 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI213 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
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