- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359757 > S29GL128P (Spansion Inc.) 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128P |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有90納米MirrorBit工藝技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 4/77頁 |
| 文件大小： | 2121K |
| 代理商： | S29GL128P |
第1頁第2頁第3頁當前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁
4
S29GL-P MirrorBit
Flash Family
S29GL-P_00_A7 November 8, 2007
D a t a
S h e e t
( P r e l i m i n a r y )
Performance Characteristics
Notes
1. Access times are dependent on V
CC
and V
IO
operating ranges.
See
Ordering Information
page for further details.
Regulated V
CC
: V
CC
= 3.0–3.6 V.
Full V
CC
: V
CC
= V
IO
= 2.7–3.6 V.
VersatileIO V
IO
: V
IO
= 1.65–V
CC
, V
CC
= 3 V.
2. Contact a sales representative for availability.
Maximum Read Access Times (ns)
Density
Voltage Range
(1)
Random Access
Time (t
ACC
)
Page Access Time
(t
PACC
)
CE# Access Time
(t
CE
)
OE# Access Time
(t
OE
)
128 & 256 Mb
Regulated V
CC
90
25
90
25
Full V
CC
100/110
100/110
VersatileIO V
IO
110
110
512 Mb
Regulated V
CC
100
25
100
25
Full V
CC
100
(2)
/110
100
(2)
/110
VersatileIO V
IO
110
(2)
/120
110
(2)
/120
1 Gb
Regulated V
CC
110
25
110
25
Full V
CC
120
120
VersatileIO V
IO
130
130
Current Consumption (typical values)
Random Access Read (
f
= 5 MHz)
30 mA
8-Word Page Read (
f
= 10 MHz)
1 mA
Program/Erase
50 mA
Standby
1 μA
Program & Erase Times (typical values)
Single Word Programming
60 μs
Effective Write Buffer Programming (V
CC
) Per Word
15 μs
Effective Write Buffer Programming (V
HH
) Per Word
13.5 μs
Sector Erase Time (64 Kword Sector)
0.5 s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128P10FAI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P10FAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P10FAIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P10FAIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P10FAIV10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128P10FAI010 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 100NS 64BGA - Trays 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P10FAI010 IC 128M PAGE-MODE F |
| S29GL128P10FAI020 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 100NS 64BGA - Trays 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P10FAI020 IC 128M FLASH BGA |
| S29GL128P10FAI022 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 100NS 64BGA - Tape and Reel |
| S29GL128P10FAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128P10FFI010 | 功能描述:閃存 128Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。