參數(shù)資料
型號： RX1214B300Y
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管)
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-439A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： RX1214B300Y
1997 Feb 19
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
RX1214B300Y
Fig.6 Input and optimum load impedances as functions of frequency; typical values.
Z
o
= 5
; V
CC
= 50 V; P
L
= 250 W; T
mb
= 25
°
C; t
p
= 150
μ
s;
δ
= 5 %; class C operation.
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
–
j
MCD631
1.2
1.3
1.4
1.3
Zi
ZL
1.2 GHz
0.5
1
10
5
2
0.2
1.4 GHz
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參數(shù)描述
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RX1214B300Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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