參數(shù)資料
型號： RX1214B300Y
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管)
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-439A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： RX1214B300Y
1997 Feb 19
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
RX1214B300Y
Fig.3 Wideband test circuit board for 1.2 to1.4 GHz application.
Dimensions in mm.
Substrate: Epsilam printed-circuit board.
Thickness: 0.635 mm.
Permittivity:
ε
r
= 10.
handbook, full pagewidth
MGK065
12
1.5
3
4
2.5
0.59
0.59
1
2
1.5
0.5
1
1.5
4
10.5
10
1.5
2
5
3.5
4
1
output
50
input
50
12.5
Fig.4
Load power as a function of frequency;
typical values.
t
p
= 150
μ
s;
δ
= 5 %.
handbook, halfpage
1.18
PL
(W)
1.26
1.5
1.42f (GHz)
200
300
1.34
MBH904
Pin = 60 W
40 W
Fig.5
Power gain as a function of frequency;
typical values.
t
p
= 150
μ
s;
δ
= 5 %.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
1.18
1.26
1.42
f (GHz)
9
7
6
8
1.34
MBH903
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RX1214B300Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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