型號: | RFP30N06LE |
廠商: | HARRIS SEMICONDUCTOR |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
中文描述: | 30 A, 60 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
文件頁數(shù): | 8/8頁 |
文件大?。?/td> | 80K |
代理商: | RFP30N06LE |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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RFP30N06LE | 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
RF1S30N06LESM | 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
RF1S30N06LE | 30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs |
RF1S30N06LESM | 30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs |
RF1S30P05SM | 30A, 50V, 0.065 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(30A, 50V, 0.065 Ω,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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RFP30N06LE | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
RFP30N06LE_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
RFP30N06LE_Q | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
RFP-30N50T-S | 制造商:ANAREN 制造商全稱:Anaren Microwave 功能描述:Aluminum Nitride Termination 30 Watts, 50W |
RFP30N6LER4541 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |