參數(shù)資料
型號： RFD8P06ESM
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
中文描述： 8 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： RFD8P06ESM
4-122
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= -2V
Q
g(-10)
V
GS
= -10V
Q
g(TOT)
V
GS
= -20V
V
DS
-V
GS
I
g(REF)
0
0
RFD8P06E, RFD8P06ESM, RFP8P06E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFD8P06LE 8A, 60V, 0.300 Ohm, ESD Rated, Logic Level, P-Channel Power MOSFET
RFD8P06LESM 8A, 60V, 0.300 Ohm, ESD Rated, Logic Level, P-Channel Power MOSFET
RFD8P06 8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFP8P06LE 8A, 60V, 0.300 Ohm, ESD Rated, P-Channel Power MOSFET(8A, 60V, 0.300Ω，額定靜電釋放P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
RFP8P10 8A, 100V, 0.400 Ohm, P-Channel Power MOSFET(8A, 100V, 0.400 Ω,P溝道增強(qiáng)模式功率MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RFD8P06ESM9A 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD8P06LE 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RFD8P06LESM 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:8A, 60V, 0.300 Ohm, ESD Rated, Logic Level, P-Channel Power MOSFET
RFD8P06LESM9A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
RFD90101 功能描述:RFDUINO TEASER KIT 制造商:rf digital corporation 系列:RFduino 零件狀態(tài):有效 類型:收發(fā)器; 智能低功耗（BLE）藍(lán)牙? 4.x 頻率:2.4GHz 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:RFD22102 所含物品:2 個(gè)板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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