參數(shù)資料
型號(hào)： RFD3055LESM
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 11 A, 60 V, 0.107 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 82K
代理商： RFD3055LESM
4-440
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
RFD3055, RFD3055SM, RFP3055
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFD3055SM 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFD3055LESM9A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-252AA
RFD3055 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD3055SM 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFP3055 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RFD3055LESM_Q 功能描述:MOSFET TO-252AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD3055LESM9A 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD3055LESM9A_R4383 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
RFD3055LESM9A_SB82064 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
RFD3055LESM9AS2478 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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