參數(shù)資料
型號(hào)： RFD16N05LSM
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs(16A, 50V, 0.047 Ω N 溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 16 A, 50 V, 0.056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： RFD16N05LSM
6-167
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 13. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 15. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 16. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 17. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 18. GATE CHARGE WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
V
DS
S
DUT
D
G
I
G(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
SAME TYPE
AS DUT
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
I
G(REF)
0
RFD16N05L, RFD16N05LSM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFD16N06LE 16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N06LESM 16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N06LESM 16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N06LESM9A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-252AA
RFD3055 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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RFD16N05LSM_Q 功能描述:MOSFET TO-252AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD16N05LSM9A 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD16N05NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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