參數(shù)資料
型號(hào)： RFD10P03L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 10A, 30V, 0.200W, Logic Level P-Channel Power MOSFET
中文描述： 10 A, 30 V, 0.22 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大小： 272K
代理商： RFD10P03L
8
PSpice Thermal Model
REV 29 Aug 96
RFP10P03L
CTHERM1 7 6 5.00e-7
CTHERM2 6 5 5.35e-4
CTHERM3 5 4 5.50e-4
CTHERM4 4 3 1.75e-3
CTHERM5 3 2 1.25e-2
CTHERM6 2 1 0.45
RTHERM1 7 6 1.00e-2
RTHERM2 6 5 2.05e-2
RTHERM3 5 4 5.39e-2
RTHERM4 4 3 5.45e-1
RTHERM5 3 2 1.01
RTHERM6 2 1 0.50
RFD10P03L, RFD10P03LSM
CTHERM1 7 6 5.00e-7
CTHERM2 6 5 5.35e-4
CTHERM3 5 4 5.50e-4
CTHERM4 4 3 1.75e-3
CTHERM5 3 2 1.25e-2
CTHERM6 2 1 0.11
RTHERM1 7 6 1.00e-2
RTHERM2 6 5 2.05e-2
RTHERM3 5 4 5.39e-2
RTHERM4 4 3 5.45e-1
RTHERM5 3 2 1.01
RTHERM6 2 1 0.50
RFD10P03L, RFD10P03LSM, RFP10P03L
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
1
2
3
4
5
6
7
JUNCTION
CASE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFD12N06RLESM 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
RFD12N06RLE 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
RFD12N06RLE 12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs(12A, 60V, 0.135 Ω, N溝道,邏輯電平,功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
RFD12N06RLESM 12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs(12A, 60V, 0.135 Ω, N溝道,邏輯電平,功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
RFP12N06RLE 12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs(12A, 60V, 0.135 Ω, N溝道,邏輯電平,功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RFD10P03LSM 功能描述:MOSFET TO-252AA P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD10P03LSM9A 制造商:HARRIS 制造商全稱:HARRIS 功能描述:10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET
RFD12N06RLE 功能描述:MOSFET 60V/12a/0.135Ohm NCh Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD12N06RLE 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC I-PAK
RFD12N06RLESM 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:49W ;RoHS Compliant: Yes
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