- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374585 > RF3808S (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=106A) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | RF3808S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=106A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 75V的，的Rds（on）\u003d 0.007ohm，身份證\u003d 106A章） |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 161K |
| 代理商： | RF3808S |
IRF3808S/IRF3808L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature (
°
C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
0
160
320
480
640
800
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
34A
58A
82A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RF3S49092SM | 20A/10A, 12V, 0.060/0.140 Ohm, Logic Level, Complementary Power MOSFET |
| RF3V49092 | 20A/10A, 12V, 0.060/0.140 Ohm, Logic Level, Complementary Power MOSFET |
| RF5176PCBA | 3V W-CDMA POWER 1900MHZ/ 3V LINEAR POWER AMPLIFIER |
| RF5176 | 3V W-CDMA POWER 1900MHZ/ 3V LINEAR POWER AMPLIFIER |
| RF6100-2 | RF Micro Devices 3V 900 MHz Linear Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RF3809 | 制造商:RFMD 制造商全稱:RF Micro Devices 功能描述:GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER |
| RF3809_1 | 制造商:RFMD 制造商全稱:RF Micro Devices 功能描述:GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER |
| RF3809PCK-410 | 制造商:RFMD 制造商全稱:RF Micro Devices 功能描述:GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER |
| RF3809PCK-411 | 制造商:RFMD 制造商全稱:RF Micro Devices 功能描述:GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER |
| RF3809PCK-412 | 制造商:RFMD 制造商全稱:RF Micro Devices 功能描述:GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。