參數(shù)資料
型號(hào)： RF1S630SM
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： RF1S630SM
4-206
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40
0
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
40
N
B
120
160
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
2000
400
0
10
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
C
1200
1600
800
C
ISS
C
OSS
C
RSS
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
30
40
50
1
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD,
C
DS
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
0
2
4
6
8
2
4
6
8
10
10
125
o
C
25
o
C
55
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
2
3
4
1
1
10
100
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
150
o
C
25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
0
8
16
24
32
5
10
15
20
V
DS
= 100V
40
I
D
= 9A
V
DS
= 40V
V
DS
= 160V
IRF630, IRF632
20
IRF630, RF1S630SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RF1S640SM 18A, 200V, 0.180 Ohm,, N-Channel PowerMOSFET(18A, 200V, 0.180 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
RF1S640 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S640SM 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S70N03SM 70A, 30V, 0.010 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFP70N03 70A, 30V, 0.010 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RF1S630SM9A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S640 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S640SM 功能描述:MOSFET N-Ch Power MOSFET 200V/18a/0.180 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S640SM9A 功能描述:MOSFET USE 512-FQP19N20C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S644 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-262AA
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*