參數(shù)資料
型號： RF1S45N06SM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
中文描述： 45 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 5/6頁
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代理商： RF1S45N06SM
3-37
RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06, RF1S45N06SM
FIGURE 13. UNCLAMPED INDUCTIVE SWITCHING
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 16. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 17. RESISTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
Typical Performance Curves
(Continued)
STARTING T
J
= +150
o
C
STARTING T
J
= +25
o
C
300
100
10
1
0.01
0.1
1
10
t
AV,
TIME IN AVALANCHE (ms)
If R = 0
t
AV
= (L) (I
AS
) / (1.3 RATED BV
DSS
- V
DD
)
If R
≠
0
t
AV
= (L/R) ln [(I
AS
*R) / (1.3 RATED BV
DSS
- V
DD
) + 1]
I
A
A
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
t
P
V
GS
0.01
L
I
L
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
t
D(ON)
t
R
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
F
t
D(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
t
ON
V
DD
R
L
V
DS
DUT
R
GS
0V
V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RF1S45N06 45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
RF1S4N100SM 4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, N-Channel Power MOSFETs
RFP4N100 4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, N-Channel Power MOSFETs
RF1S50N06LESM 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(50A, 60V, 0.022 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場效應(yīng)管)
RFP50N06LE CAP Tantalum-Wet Miniature 6V 8.0 uF +/-5% Silver can Axial High Reliability , TPC - Hilton
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參數(shù)描述
RF1S4N100 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RF1S4N100SM 功能描述:MOSFET TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S4N100SM9A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S50N06 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S50N06LE 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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