參數(shù)資料
型號(hào)： RF1S40N10LESM
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 40 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 413K
代理商： RF1S40N10LESM
3
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
20
10
0
25
50
75
100
125
150
30
50
40
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
175
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0.01
2
0.1
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
10
-4
10
1
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
SINGLE PULSE
Z
θ
J
,
T
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
100
1
100
10
I
D
,
LIMITED BY r
DS(ON)
AREA MAY BE
OPERATION IN THIS
100
μ
s
10ms
1ms
500
200
T
C
= 25
o
C
T
J
= 175
o
C
t, PULSE WIDTH (s)
500
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100
I
D
,
V
GS
= 5V
THERMAL IMPEDANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I
I25
175
-------150
T
C
–
=
T
C
= 25
o
C
RFG40N10LE, RFP40N10LE, RF1S40N10LESM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFP40N10LE 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10SM 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFG40N10LE 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(40A, 100V, 0.040 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
RF1S40N10 CAP 470PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
RF1S40N10SM 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RF1S40N10LESM9A 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S40N10SM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S40N10SM9A 功能描述:MOSFET USE 512-FDB3682 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S42N03L 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RF1S42N03LSM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*