參數(shù)資料
型號(hào)： RD28F6408W30B70
廠商： INTEL CORP
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80
封裝： 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80
文件頁(yè)數(shù)： 50/82頁(yè)
文件大?。?/td> 749K
代理商： RD28F6408W30B70
28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
44
Preliminary
NOTES:
1.
Section 4.2.2,
“
First Latency Count (LC2
–
0)
”
on page 14
describes how to insert clock cycles during the initial
access.
2. WAIT (shown active low) can be configured to assert either during or one data cycle before valid data.
Figure 17. Single Word Burst Read Waveform
Generic_1W_Sync_Rd
Note 1
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Valid
Address
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
High Z
Valid
Output
V
IH
V
IL
R101
R102
R302
R301
R306
R2
R106
R105
R103
R3
R4
R7
R8
R9
R10
R5
R305
High Z
R304
CLK [C]
RST# [P]
Address [A]
ADV# [V]
OE# [G]
WE# [W]
WAIT [T]
Data [D/Q]
CE# [E]
R303
R104
High Z
R308
R309
Note 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RD28F6408W30B85 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD28F6408W30T70 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD28F6408W30T85 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD30HUF1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
RD38F1020C0ZTL0 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
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參數(shù)描述
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RD28F6408W30T70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD28F6408W30T85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD28S-6/206708 功能描述:BLWR DUAL CENT 470X378MM 230VAC RoHS:是 類別:風(fēng)扇，熱管理 >> 風(fēng)扇 - AC 系列:RD28S 其它有關(guān)文件:Declaration of Conformity 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 氣流:- 軸承類型:- 風(fēng)扇類型:- 特點(diǎn):- 雜訊:- 功率（瓦特）:- RPM:- 尺寸/尺寸:- 靜態(tài)壓力:- 端子:- 電壓 - 額定:- 重量:- 額定電流:- 預(yù)期壽命:- 工作溫度:- 電壓范圍:- 其它名稱:Q5464961
RD28S-6206708 制造商:EBMPAPST 制造商全稱:ebm-papst 功能描述:CENTRIFUGAL BLOWER
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