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參數(shù)資料
| 型號： | RD28F6408W30B70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80 |
| 封裝： | 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 26/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | RD28F6408W30B70 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
20
Preliminary
4.2.8
Clock Configuration (CC)
CR.6 sets the clock configuration. The clock configuration determines which edge of the clock the
flash device will respond to while in burst mode. The device can be configured to either track on
the rising or falling edge of the clock.
Table 10. Sequence and Burst Length
Start Addr
(Decimal)
Wrap
(CR.3)
Burst Addressing Sequence (Decimal)
4-Word Burst
Length
(CR
2-0
= 001)
8-Word Burst Length
(CR
2-0
= 010)
Continuous Burst
(CR
2-0
= 111)
Linear
Intel
Linear
Intel
Linear
0
0
0-1-2-3
0-1-2-3
0-1-2-3-4-5-6-7
0-1-2-3-4-5-6-7
0-1-2-3-4-5-6-...
1
0
1-2-3-0
1-0-3-2
1-2-3-4-5-6-7-0
1-0-3-2-5-4-7-6
1-2-3-4-5-6-7-...
2
0
2-3-0-1
2-3-0-1
2-3-4-5-6-7-0-1
2-3-0-1-6-7-4-5
2-3-4-5-6-7-8-...
3
0
3-0-1-2
3-2-1-0
3-4-5-6-7-0-1-2
3-2-1-0-7-6-5-4
3-4-5-6-7-8-9-...
4
0
4-5-6-7-0-1-2-3
4-5-6-7-0-1-2-3
4-5-6-7-8-9-10-...
5
0
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6
0
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0
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0
1
0-1-2-3
NA
0-1-2-3-4-5-6-7
NA
0-1-2-3-4-5-6-...
1
1
1-2-3-4
NA
1-2-3-4-5-6-7-8
NA
1-2-3-4-5-6-7-...
2
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2-3-4-5
NA
2-3-4-5-6-7-8-9
NA
2-3-4-5-6-7-8-...
3
1
3-4-5-6
NA
3-4-5-6-7-8-9-10
NA
3-4-5-6-7-8-9-...
4
1
4-5-6-7-8-9-10-11
NA
4-5-6-7-8-9-10-...
5
1
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NA
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1
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NA
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7
1
7-8-9-10-11-12-13-
14
NA
7-8-9-10-11-12-13-...
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| RD28F6408W30B85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
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參數(shù)描述 |
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| RD28S-6206708 | 制造商:EBMPAPST 制造商全稱:ebm-papst 功能描述:CENTRIFUGAL BLOWER |
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