- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣IC網(wǎng) > PDF目錄374576 > RD28F3204C3B70 (INTEL CORP) TVS BIDIRECT 400W 18V SMA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD28F3204C3B70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | TVS BIDIRECT 400W 18V SMA |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/70頁(yè) |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | RD28F3204C3B70 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)當(dāng)前第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
17
Table5. FlashMemoryCommandDefinitions
Command
Note
FirstBusCycle
SecondBusCycle
Operation
Address
Data
Operation
Address
Data
ReadArray
1
Write
X
FFh
ReadIdentifier
1,2
Write
X
90h
Read
IA
ID
CFIQuery
1,2
Write
X
98h
Read
QA
QD
ReadStatusRegister
1
Write
X
70h
Read
X
SRD
ClearStatusRegister
1
Write
X
50h
WordProgram
1,3
Write
X
40h/10h
Write
PA
PD
BlockErase/Confirm
1
Write
X
20h
Write
BA
D0h
Program/EraseSuspend
1
Write
X
B0h
Program/EraseResume
1
Write
X
D0h
LockBlock
1
Write
X
60h
Write
BA
01h
UnlockBlock
1,4
Write
X
60h
Write
BA
D0h
Lock-DownBlock
1
Write
X
60h
Write
BA
2Fh
ProtectionRegisterProgram
1
Write
X
C0h
Write
PA
PD
LockProtectionRegister
1
Write
X
C0h
Write
PA
FFFD
X = Don’tCare
PA = ProgramAddress
BA = BlockAddress
IA = IdentifierAddress
QA = QueryAddress
SRD = StatusRegisterData
PD = ProgramData
ID = IdentifierData
QD = QueryData
NOTES:
1. Whenwritingcommands,theupperdatabus[DQ
–DQ
]shouldbeeitherV
orV
,tominimizecurrentdraw.
2. FollowingtheReadConfigurationorCFIQuerycommands,readoperationsoutputdeviceconfigurationorCFIquery
information,respectively.
3. Either40hor10hcommandisvalid,buttheIntelstandardis40h.
4. Whenunlockingablock,WP#mustbeheldforthreeclockcycles(1clockcycleafterthesecondcommandbuscycle).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F1602C3B70 | TVS 400W 20V UNIDIRECT SMA |
| RD28F1604C3B90 | TVS UNI-DIR 9.0V 400W SMA |
| RD28F1602C3B90 | TVS UNIDIRECT 400W 90V SMA |
| RD28F3208C3B90 | TVS BIDIRECT 400W 90V SMA |
| RD28F3208C3T70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD28F3204C3T70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3204W30B70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30B85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30T70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30T85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。