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參數(shù)資料
| 型號： | RD28F1602C3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 44/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | RD28F1602C3T90 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
44
Datasheet
NOTES:
1. Substrateconnectionsrefertoballoutlocationsshownin
Figure1,“66-BallStackedChipScalePackage”on
page 8
.
2. 0.1
μ
fcapacitorsshouldbeusedwithD9,D10,A10andE4.
3. SomeSRAMdevicesdonothaveaS-VSSQ;inthiscase,thispadisaS-VSS.
4. SomeSRAMdevicesdonothaveaS-VSSQ;inthiscase,thispadisaVCC.
7.4
SimultaneousOperation
ThetermsimultaneousoperationinusedtodescribetheabilitytoreadorwritetotheSRAMwhile
alsoprogrammingorerasingflash.Inaddition,F-CE#,S-CS1#andS-CS2shouldnotbeenabledat
thesametime.(See
Table 2,“3VoltIntelAdvanced+BootBlockStacked-CSPBall
Descriptions”onpage 9
forasummaryofrecommendedoperatingmodes.)Simultaneous
operationofthecanbesummarizedbythefollowing:
SRAMread/writeareduringaFlashProgramorEraseOperationareallowed.
SimultaneousBusOperationsbetweentheFlashandSRAMare
not
allowed(becauseofbus
contention).
Figure13.TypicalFlash+SRAMSubstratePowerandGroundConnections
S-V
SSQ
D10
SRAMDIE
FLASHDIE
SUBSTRATE
XX
S-X
F-X
Substrateconnectiontopackageball
SRAMdiebondpadconnection
Flashdiebondpadconnection
S-V
CCQ
S-V
CC
S-V
SS
F-V
PP
F-V
SSQ
F-V
CC
F-V
CCQ
F-V
SS
H8
A9
D9
E4
D3
A10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F3208C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD38F1010C0ZTL0 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD38F1020C0ZBL0 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD28F1602C3TD70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3B110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70A | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
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