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參數(shù)資料
| 型號： | RD28F1602C3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 27/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | RD28F1602C3T90 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
27
I
CCW
V
CC
ProgramCurrent
Flash
1,3
18
55
mA
F-V
PP
= V
PP1
PrograminProgress
8
22
mA
F-V
PP
= V
PP2
(12 V)
PrograminProgress
I
CCE
V
CC
EraseCurrent
Flash
1,3
16
45
mA
F-V
PP
= V
PP1
EraseinProgress
8
15
mA
F-V
PP
= V
PP2
(12 V)
EraseinProgress
I
CCES
V
CC
EraseSuspendCurrent
Flash
1,3,4
7
15
μA
F-CE# = V
CC
,EraseSuspend
inProgress
I
CCWS
V
CC
ProgramSuspendCurrent
0.25
μ
m
Flash
1,3,4
10
25
μA
F-CE# = V
CC
,Program
SuspendinProgress
0.13μm
and
0.18μm
Flash
1,3,4
7
15
I
PPD
F-V
PP
DeepPower-DownCurrent
Flash
1
0.2
5
μA
F-RP# = GND±0.2 V
F-V
PP
≤
V
CC
F-V
PP
≤
V
CC
F-V
PP
≤
V
CC
F-V
PP
≥
V
CC
I
PPS
F-V
PP
StandbyCurrent
Flash
1
0.2
5
μA
I
PPR
F-V
PP
ReadCurrent
Flash
1
2
±
15
μA
1,2
50
200
μA
I
PPW
F-V
PP
ProgramCurrent
Flash
1,2
0.05
0.1
mA
F-V
PP
=V
PP1
PrograminProgress
8
22
mA
F-V
PP
= V
PP2
(12 V)
PrograminProgress
I
PPE
F-V
PP
EraseCurrent
Flash
1,2
0.05
0.1
ma
F-V
PP
= V
PP1
EraseinProgress
I
PPES
F-V
PP
EraseSuspendCurrent
Flash
1,2
0.2
5
μA
F-V
PP
= V
PP1
EraseSuspendinProgress
50
200
μA
F-V
PP
= V
PP2
(12 V)
EraseSuspendinProgress
I
PPWS
F-V
PP
ProgramSuspendCurrent
Flash
1,2
0.2
5
μA
F-V
PP
= V
PP1
ProgramSuspendinProgress
50
200
μA
F-V
= V
(12 V)
ProgramSuspendinProgress
NOTES:
1. AllcurrentsareinRMSunlessotherwisenoted.TypicalvaluesatnominalF-V
/S-V
,T
= +25°C.
2. AutomaticPowerSavings(APS)reducesI
CCR
toapproximatelystandbylevelsinstaticoperation(CMOSinputs).
3. Sampled,not100%tested.
4. I
andI
arespecifiedwithdevicede-selected.Ifdeviceisreadwhileinerasesuspend,currentdrawissumofI
CCES
andI
CCR
.Ifthedeviceisreadwhileinprogramsuspend,currentdrawisthesumofI
CCWS
andI
CCR
.
Table11. DCCharacteristics(Sheet2of2)
Symbol
Parameter
Device
Note
2.7V–3.3V
Unit
TestConditions
Typ
Max
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F3208C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD38F1010C0ZTL0 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD38F1020C0ZBL0 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD28F1602C3TD70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3B110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70A | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
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