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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD28F1602C3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 35/70頁 |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | RD28F1602C3T90 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
35
5.9
SRAMACCharacteristics—ReadOperations
Table17. SRAMACCharacteristics—ReadOperations
(1)
#
Sym
Parameter
Density
2/4/8-Mbit
Unit
VoltageRange
2.7V–3.3V
Note
Min
Max
R1
t
RC
ReadCycleTime
70
–
ns
R2
t
AA
AddresstoOutputDelay
–
70
ns
R3
t
CO1,
t
CO2
t
OE
S-CS1#,S-CS2toOutputDelay
–
70
ns
R4
S-OE#toOutputDelay
–
35
ns
R5
t
BA
S-UB#,LB#toOutputDelay
–
70
ns
R6
t
LZ1
,t
LZ2
t
OLZ
S-CS1#,S-CS2toOutputinLowZ
2,3
5
–
ns
R7
S-OE#toOutputinLowZ
3
0
–
ns
R8
t
HZ1
,t
HZ2
S-CS1#,S-CS2toOutputinHighZ
2,3,4
0
25
ns
R9
t
OHZ
S-OE#toOutputinHighZ
3,4
0
25
ns
R10
t
OH
OutputHoldfromAddress,S-CS1#,
S-CS2,orS-OE#Change,WhicheverOccurs
First
0
–
ns
R11
t
BLZ
S-UB#,S-LB#toOutputinLowZ
3
0
–
ns
R12
t
BHZ
S-UB#,S-LB#toOutputinHighZ
3
0
25
ns
NOTE:
1. See
Figure9,“ACWaveform:SRAMReadOperations”onpage 36
.
2. Atanygiventemperatureandvoltagecondition,t
HZ
(Max)islessthanandt
LZ
(Max)bothforagiven
deviceandfromdevicetodeviceinterconnection.
3. Sampled,butnot100%tested.
4. Timingsoft
andt
aredefinedasthetimeatwhichtheoutputsachievetheopencircuitconditions
andarenotreferencedtooutputvoltagelevels.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F3208C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
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| RD38F1020C0ZBL0 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD28F1602C3TD70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3B110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70A | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
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