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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD28F1602C3BD70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | RD28F1602C3BD70 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
37
5.10
SRAMACCharacteristics—WriteOperations
Table18. SRAMACCharacteristics—WriteOperations
(1,2)
#
Sym
Parameter
Density
2/4/8-Mbit
Unit
Volt
2.7V–3.3V
Note
Min
Max
W1
t
WC
WriteCycleTime
70
–
ns
W2
t
AS
AddressSetuptoS-WE#(S-CS1#)andS-UB#,
S-LB#GoingLow
3
0
–
ns
W3
t
WP
t
DW
S-WE#(S-CS1#)PulseWidth
4
55
–
ns
W4
DatatoWriteTimeOverlap
30
–
ns
W5
t
AW
AddressSetuptoS-WE#(S-CS1#)GoingHigh
60
–
ns
W6
t
CW
S-CE#(S-WE#)SetuptoS-WE#(S-CS1#)Going
High
60
–
ns
W7
t
DH
DataHoldTimefromS-WE#(S-CS1#)High
0
–
ns
W8
t
WR
WriteRecovery
5
0
–
ns
W9
t
BW
S-UB#,S-LB#SetuptoS-WE#(S-CS1#)Going
High
60
–
ns
NOTES:
1. See
Figure10,“ACWaveform:SRAMWriteOperations”onpage 38
.
2. Awriteoccursduringtheoverlap(t
)oflowS-CS1#andlowS-WE#.AwritebeginswhenS-CS1#goes
lowandS-WE#goeslowwithassertingS-UB#orS-LB#forsinglebyteoperationorsimultaneously
asserting
S-UB#andS-LB#fordoublebyteoperation.AwriteendsattheearliesttransitionwhenS-CS1#goeshigh
andS-WE#goeshigh.Thet
ismeasuredfromthebeginningofwritetotheendofwrite.
3. t
AS
ismeasuredfromtheaddressvalidtothebeginningofwrite.
4. t
WP
ismeasuredfromS-CS1#goinglowtoendofwrite.
5. t
ismeasuredfromtheendofwritetotheaddresschange.t
WR
appliedincaseawriteendsasS-CS1#
orS-WE#goinghigh.
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