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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD28F1602C3BD70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | RD28F1602C3BD70 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
29
5.5
FlashACCharacteristics.
FlashTestConfigurationComponentValuesTable
TestConfiguration
C
L
(pF)
2.7 V–3.3 VStandardTest
50
Table13. FlashACCharacteristics—ReadOperations
#
Sym
Parameter
Density
16-Mbit
32-Mbit
Unit
Product
-70
-90
-110
-70
-90
VoltageRange
2.7V-3.3V
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
R1
t
AVAV
ReadCycleTime
70
90
110
70
90
ns
R2
t
AVQV
AddresstoOutputDelay
70
90
110
70
90
ns
R3
t
ELQV
F-CE#toOutputDelay
1
70
90
110
70
90
ns
R4
t
GLQV
F-OE#toOutputDelay
1
20
30
30
20
20
ns
R5
t
PHQV
F-RP#toOutputDelay
150
150
150
150
150
ns
R6
t
ELQX
F-CE#toOutputinLowZ
2
0
0
0
0
0
ns
R7
t
GLQX
F-OE#toOutputinLowZ
2
0
0
0
0
0
ns
R8
t
EHQZ
F-CE#toOutputinHighZ
2
20
25
25
20
20
ns
R9
t
GHQZ
F-OE#toOutputinHighZ
2
20
20
20
20
20
ns
R10
t
OH
OutputHoldfromAddress
F-CE#,orF-OE#Change,
WhicheverOccursFirst
2
0
0
0
0
0
ns
NOTES:
1. F-OE#maybedelayeduptot
ELQV
–t
GLQV
afterthefallingedgeofCE#withoutimpactont
ELQV
2. Sampled,butnot100%tested.
3. See
Figure6,“ACWaveform:FlashReadOperations”onpage 30
.
4. SeeFigure4,“Input/OutputReferenceWaveform”onpage28fortimingmeasurementsandmaximumallowableinputslew
rate.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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