參數(shù)資料
型號(hào)： R1EX25004ATA00A
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 512 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
封裝： 4.40 X 3 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSSOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 16/22頁(yè)
文件大?。?/td> 622K
代理商： R1EX25004ATA00A
R1EX25002Axx00A/R1EX25004Axx00A
REJ03C0357-0002 Rev. 0.02 Jan.14 .2009
page 3 of 20
Block Diagram
High voltage generator
Memory array
Y-select & Sense amp.
Serial-parallel converter
Address
generator
Control
logic
Y
decoder
X
decoder
VCC
VSS
S
W
C
HOLD
D
Q
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Supply voltage relative to VSS
VCC
0.6 to + 7.0
V
Input voltage relative to VSS
VIN
0.5*2 to +7.0*3
V
Operating temperature range*
1
Topr
40 to +85
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to +125
°C
Notes: 1. Including electrical characteristics and data retention.
2. VIN (min): 3.0 V for pulse width ≤ 50 ns.
3. Should not exceed VCC + 1.0 V.
DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Supply voltage
VCC
1.8
5.5
V
VSS
0
V
Input voltage
VIH
VCC × 0.7
VCC + 0.5*
2
V
VIL
0.3*1
VCC × 0.3
V
Operating temperature range
Topr
40
+85
°C
Notes: 1. VIN (min): 1.0 V for pulse width ≤ 50 ns.
2. VIN (max): VCC + 1.0 V for pulse width ≤ 50 ns.
Capacitance (Ta = +25
°C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test
conditions
Input capacitance (D,C,
S, W ,HOLD)
Cin*
1
6.0
pF
Vin = 0 V
Output capacitance (Q)
CI/O*
1
8.0
pF
Vout = 0 V
Note:
1. Not 100
% tested.
Memory cell characteristics (VCC = 1.8 V to 5.5 V)
Ta=25
°C
Ta=85
°C
Notes
Endurance
1,000k Cycles min.
100k Cycles min
1
Data retention
100 Years min.
10 Years min.
1
Notes: 1. Not 100
% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
R1LP0408CSC-7LC 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32
R1LP0408CSP-5SC 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
R1LV0416CBG-5SI 256K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48
R1Q2A3609BBG-50RB 4M X 9 QDR SRAM, PBGA165
R1RP0408DGE-2PR 512K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO36
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
R1EX25004ATA00A#S0 功能描述:IC EEPROM 4K 5MHZ 8TSSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):557-1461-6
R1EX25004ATA00G 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Serial Peripheral Interface 2k EEPROM 4k EEPROM
R1EX25004ATA00I 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory
R1EX25004ATA00I#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SERIAL EEPROM 4K, SPI, TSSOP8, 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SERIAL EEPROM 4K, SPI, TSSOP8, I-GRADE - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC EEPROM 4KBIT 5MHZ 8TSSOP
R1EX25008ASA00A#S0 功能描述:IC EEPROM 8K 5MHZ 8SOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):557-1461-6
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