參數(shù)資料
型號： PZT2907AT3
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-261AA
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至261AA
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： PZT2907AT3
PZT2907AT1
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
SOT–223 (TO–261)
CASE 318E–04
ISSUE K
H
S
F
A
B
D
G
L
4
1
2
3
0.08 (0003)
C
M
K
J
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
MIN
0.249
0.130
0.060
0.024
0.115
0.087
0.0008
0.009
0.060
0.033
MAX
0.263
0.145
0.068
0.035
0.126
0.094
0.0040
0.014
0.078
0.041
10
0.287
MIN
6.30
3.30
1.50
0.60
2.90
2.20
0.020
0.24
1.50
0.85
MAX
6.70
3.70
1.75
0.89
3.20
2.40
0.100
0.35
2.00
1.05
10
7.30
MILLIMETERS
INCHES
0
0
0.264
6.70
NOTES:
1.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
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PDF描述
PZT3904 NPN Switching Double Transistors
PZT3906 PNP switching transistor
PZT751T3 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA
PZTA05 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223
PZTA42 NPN High Voltage Amplifier(NPN高電壓放大器)
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參數(shù)描述
PZT2907AT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3019 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Epitaxial Planar Transistor
PZT358 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Silicon Planar High Current Transistor
PZT359 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:High Current Transistor
PZT3904 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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