參數(shù)資料
型號: PZT2222AT3
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-223
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 40V的五(巴西)總裁| 600毫安一(c)|的SOT - 223
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代理商: PZT2222AT3
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Vi
90%
10%
tp
tr
0
VCC
R2
R1
Vi
D.U.T.
Vo
Figure 1. Input Waveform and Test Circuit for Determining Delay Time and Rise Time
Figure 2. Input Waveform and Test Circuit for Determining Storage Time and Fall Time
Vi = – 0.5 V to +9.9 V, VCC = +30 V, R1 = 619
, R2 = 200
.
PULSE GENERATOR:
PULSE DURATION
RISE TIME
DUTY FACTOR
OSCILLOSCOPE:
INPUT IMPEDANCE
INPUT CAPACITANCE
RISE TIME
tp
tr
δ
200 ns
2 ns
0.02
Zi
Ci
tr
>
<
<
100 k
12 pF
5 ns
=
tf
100
μ
s
– 13.8 V
0
+16.2 V
Vi
TIME
VCC
Vo
OSCILLOSCOPE
D.U.T.
Vi
R2
R3
R4
D1
R1
VBB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PZT2907AT3 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-261AA
PZT3904 NPN Switching Double Transistors
PZT3906 PNP switching transistor
PZT751T3 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA
PZTA05 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PZT2222AT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT2222ATR 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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