參數(shù)資料
型號： PZB16035U
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL, CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： PZB16035U
1997 Feb 18
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
PZB16035U
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
open emitter
open base
R
BE
= 0
open collector
65
40
15
35
3
4
45
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
°
C
T
mb
= 75
°
C
Up to 0.2 mm from the flange;
t < 10 s
Fig.2
Power derating curve.
handbook, halfpage
0
40
20
0
50
100
200
150
MGD968
Ptot
(W)
Tmb (
°
C)
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PDF描述
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