參數資料
型號： PSMN038
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： N溝道增強型場效應管
文件頁數： 9/13頁
文件大?。?/td> 271K
代理商： PSMN038
Philips Semiconductors
PSMN038-100K
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 16 January 2001
9 of 13
9397 750 07897
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
9.
Package outline
Fig 15. SOT96-1 (SO8).
UNIT
A
max.
A
1
A
2
A
3
b
p
c
D
(1)
E
(2)
(1)
e
H
E
L
L
p
Q
Z
y
w
v
θ
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
inches
1.75
0.25
0.10
1.45
1.25
0.25
0.49
0.36
0.25
0.19
5.0
4.8
4.0
3.8
1.27
6.2
5.8
1.05
0.7
0.6
0.7
0.3
8
0
o
o
0.25
0.1
0.25
DIMENSIONS (inch dimensions are derived from the original mm dimensions)
Notes
1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.
2. Plastic or metal protrusions of 0.25 mm maximum per side are not included.
1.0
0.4
SOT96-1
X
w
M
θ
A
A
1
A
2
b
p
D
H
E
L
p
L
Q
detail X
E
Z
e
c
v
M
A
(A )
3
A
4
5
pin 1 index
1
8
y
076E03
MS-012
0.069
0.010
0.004
0.057
0.049
0.01
0.019
0.014
0.0100
0.0075
0.20
0.19
0.16
0.15
0.050
0.244
0.228
0.028
0.024
0.028
0.012
0.01
0.01
0.041
0.004
0.039
0.016
0
2.5
5 mm
scale
SO8: plastic small outline package; 8 leads; body width 3.9 mm
SOT96-1
97-05-22
99-12-27
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