參數(shù)資料
型號(hào)： PSMN004-36P
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 36 V, 0.0054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大小： 294K
代理商： PSMN004-36P
Philips Semiconductors
PSMN004-36P/36B
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 19 November 2001
3 of 13
9397 750 08621
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
o
C)
P
der
(%)
03ag42
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (oC)
I
D
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
03ag44
1
10
102
103
1
10
102
V
DS
(V)
I
D
(A)
DC
100 ms
10 ms
R
DS(on)
= V
DS
/ I
D
1 ms
t
p
= 10 us
100 us
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PDF描述
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