參數(shù)資料
型號(hào)： PPC5001T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL, CERAMIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： PPC5001T
1997 Mar 03
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
PPC5001T
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1. At 0.1 mm from the case.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 70
open emitter
open collector
65
40
35
16
3
0.25
4
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
75
°
C
t
≤
10 s; note 1
Fig.2
Power dissipation derating as a function of
mounting-base temperature.
handbook,
(W)
0
50
100
200
5
0
4
150
3
2
1
MGD975
Tmb (
°
C)
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