參數(shù)資料
型號： PMZ760SN
英文描述： uTrenchMOS (tm) standard level FET
中文描述： uTrenchMOS（TM）的標(biāo)準(zhǔn)水平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 229K
代理商： PMZ760SN
Philips Semiconductors
PMZ760SN
μ
TrenchMOS standard level FET
Objective data
Rev. 01 — 24 February 2003
8 of 12
9397 750 11143
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 0.5 A; V
DD
= 40 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
003aaa400
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
150
°
C
003aaa401
0
2
4
6
8
10
0
0.4
0.2
1.2
QG (nC)
VGS
(V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
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PN101 17MHz to 170MHz Resistor Set SOT-23 Oscillator; Package: SOT; No of Pins: 5; Temperature Range: -40° to +125°C
PN10183EJ01V0PF 17MHz to 170MHz Resistor Set SOT-23 Oscillator; Package: SOT; No of Pins: 5; Temperature Range: -40° to +125°C
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參數(shù)描述
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PMZ950UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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