參數(shù)資料
型號(hào)： PMZ760SN
英文描述： uTrenchMOS (tm) standard level FET
中文描述： uTrenchMOS（TM）的標(biāo)準(zhǔn)水平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 229K
代理商： PMZ760SN
Philips Semiconductors
PMZ760SN
μ
TrenchMOS standard level FET
Objective data
Rev. 01 — 24 February 2003
3 of 12
9397 750 11143
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of solder point temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of solder point temperature.
T
sp
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa17
0
40
80
120
0
50
100
150
200
(%)
Tsp (
°
C)
Pder
03aa25
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tsp (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
<tbd>
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
03ai41
X
X
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PDF描述
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