參數(shù)資料
型號： PMZ760SN
英文描述： uTrenchMOS (tm) standard level FET
中文描述： uTrenchMOS（TM）的標(biāo)準(zhǔn)水平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 229K
代理商： PMZ760SN
Philips Semiconductors
PMZ760SN
μ
TrenchMOS standard level FET
Objective data
Rev. 01 — 24 February 2003
5 of 12
9397 750 11143
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
5.
Characteristics
Table 4:
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Static characteristics
V
(BR)DSS
drain-source breakdown voltage
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
D
= 1
μ
A; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
=
55
°
C
I
D
= 0.25 mA; V
DS
= V
GS
;
Figure 9
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
T
j
=
55
°
C
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 100
°
C
V
GS
=
±
20 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V; I
D
= 0.3 A;
Figure 7
and
8
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
V
GS
= 4.5 V; I
D
= 0.075 A;
Figure 7
60
55
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
GS(th)
gate-source threshold voltage
1
0.5
-
2
-
-
3
-
3.4
I
DSS
drain-source leakage current
-
-
-
0.05
-
10
1
100
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
R
DSon
gate-source leakage current
drain-source on-state resistance
-
-
-
760
1255 1665 m
960
1200 m
900
m
Dynamic characteristics
Q
g(tot)
total gate charge
Q
gs
gate-source charge
Q
gd
gate-drain (Miller) charge
C
iss
input capacitance
C
oss
output capacitance
C
rss
reverse transfer capacitance
t
d(on)
turn-on delay time
t
r
rise time
t
d(off)
turn-off delay time
t
f
fall time
Source-drain diode
V
SD
source-drain (diode forward) voltage I
S
= 0.3 A; V
GS
= 0 V;
Figure 12
I
D
= 0.5 A; V
DD
= 40 V; V
GS
= 10 V;
Figure 13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
0.2
0.35
3.9
6.6
33
2.1
2.4
6.3
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0 V; V
DS
= 30 V; f = 1 MHz;
Figure 11
V
DD
= 50 V; I
D
= 0.2 A; V
GS
= 10 V; R
G
= 4.7
-
0.8
1.2
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102 Silicon planar type
PN101 17MHz to 170MHz Resistor Set SOT-23 Oscillator; Package: SOT; No of Pins: 5; Temperature Range: -40° to +125°C
PN10183EJ01V0PF 17MHz to 170MHz Resistor Set SOT-23 Oscillator; Package: SOT; No of Pins: 5; Temperature Range: -40° to +125°C
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PMZ760SN T/R 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMZ760SN,315 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMZ760SN315 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 1.22A SOT883
PMZ950UPELYL 功能描述:20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
PMZ950UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*