參數(shù)資料
型號： PMWD15UN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N-channel mTrenchMOS?? ultra low level FET
中文描述： 11600 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153
封裝： PLASTIC, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： PMWD15UN
9397 750 14713
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 5 April 2005
9 of 12
Philips Semiconductors
PMWD15UN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS ultra low level FET
7.
Package outline
Fig 14. Package outline SOT530-1 (TSSOP8)
UNIT
A1
A
max.
A2
A3
bp
L
HE
Lp
w
y
v
c
e
D
(1)
E
(2)
Z
(1)
θ
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.15
0.05
0.95
0.85
0.30
0.19
0.20
0.13
3.1
2.9
4.5
4.3
0.65
6.5
6.3
0.70
0.35
8
°
0
°
0.1
0.1
0.1
0.94
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Notes
1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.
2. Plastic or metal protrusions of 0.25 mm maximum per side are not included.
0.7
0.5
SOT530-1
MO-153
00-02-24
03-02-18
w
M
bp
D
Z
e
0.25
1
4
8
5
θ
A
A2
A1
Lp
(A3)
detail X
L
HE
E
c
v
M
A
X
A
y
2.5
5 mm
0
scale
TSSOP8: plastic thin shrink small outline package; 8 leads; body width 4.4 mm
SOT530-1
1.1
pin 1 index
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PDF描述
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參數(shù)描述
PMWD15UN,518 功能描述:MOSFET PMWD15UN/TSSOP8/REEL13DP// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMWD15UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
PMWD16UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
PMWD16UN /T3 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMWD16UN,518 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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