參數(shù)資料
型號： PMWD15UN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N-channel mTrenchMOS?? ultra low level FET
中文描述： 11600 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153
封裝： PLASTIC, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： PMWD15UN
9397 750 14713
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 5 April 2005
6 of 12
Philips Semiconductors
PMWD15UN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS ultra low level FET
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
> I
D
×
R
DSon
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
Fig 5.
Fig 6.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
003aaa252
0
4
8
12
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
(V)
I
D
(A)
1.1
1.2
1.8
1.3
4.5
V
GS
(V) = 1.35
1.5
003aaa253
0
4
8
12
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
(V)
I
D
(A)
V
DS
> I
D
x R
DSon
T
j
= 150
°
C
25
°
C
003aaa254
0
25
50
75
100
0
4
8
12
I
D
(A)
R
DSon
(m
)
1.3
2.5
4.5
V
GS
(V) = 1.8
1.2
1.1
03aa27
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
a
R
DSon 25 C
°
)
------------------------------
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMWD18UN CAT6 SOL PC GRE PLE 15FT PLENUM SOLID PATCH CORD
PMWD20XN Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET
PN2369 NPN switching transistors
PN2369A NPN switching transistors
PN2483 LOW LEVEL, LOW NOISE NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS
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參數(shù)描述
PMWD15UN,518 功能描述:MOSFET PMWD15UN/TSSOP8/REEL13DP// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMWD15UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
PMWD16UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
PMWD16UN /T3 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMWD16UN,518 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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