參數(shù)資料
型號： PMBT3904D
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： SPLIT BOLT CONNECTOR
中文描述： 100 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SMD, SC-74, 6 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： PMBT3904D
1999 Dec 15
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN switching double transistor
PMBT3904D
handbook, halfpage
hFE
0
10
1
100
200
300
400
MCD785
1
(1)
(2)
(3)
10
IC (mA)
10
2
10
3
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 1 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(V)
0
10
1
0.1
0.2
0.3
0.4
MCD788
1
(1)
10
IC (mA)
10
2
10
3
(3)
(2)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(V)
0
10
1
0.2
0.4
0.6
0.8
MCD786
1
(1)
(2)
(3)
10
IC (mA)
10
2
10
3
Fig.5
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 1 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
(mA)
0
10
0
20
40
60
80
2
(2)
(3)
(4)
(5)
(8)
(9)
(10)
(1)
VCE (V)
4
6
8
MCD787
(6)
(7)
Fig.6
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
= 500
μ
A.
(2) I
B
= 450
μ
A.
(3) I
B
= 400
μ
A.
(4) I
B
= 350
μ
A.
(5) I
B
= 300
μ
A.
(6) I
B
= 250
μ
A.
(7) I
B
= 200
μ
A.
(8) I
B
= 150
μ
A.
(9) I
B
= 100
μ
A.
(10) I
B
= 50
μ
A.
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