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參數(shù)資料
| 型號： | PMEM1505PG |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP transistor/Schottky rectifier module |
| 中文描述： | 500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-88A, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | PMEM1505PG |
1.
Product profile
1.1 General description
Combination of an PNP transistor with low V
CEsat
and high current capability and a planar
Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection in a SOT353
(SC-88A) small plastic package. NPN complement: PMEM1505NG.
1.2 Features
I
300 mW total power dissipation
I
Current capability up to 0.5 A
I
Reduces printed-circuit board area required
I
Reduces pick and place costs
I
Small plastic SMD package
I
Transistor
N
Low collector-emitter saturation voltage.
I
Diode
N
Ultra high-speed switching
N
Very low forward voltage
N
Guard ring protected.
1.3 Applications
I
DC-to-DC converters
I
Inductive load drivers
I
General purpose load drivers
I
Reverse polarity protection circuits
I
MOSFET drivers.
1.4 Quick reference data
[1]
Mounted on a FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated, standard footprint for SOT353.
PMEM1505PG
PNP transistor/Schottky rectifier module
Rev. 01 — 26 May 2004
Product data sheet
Table 1:
Symbol
PNP transistor
V
CEO
I
C
Schottky barrier rectifier
V
R
I
F
Quick reference data
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
collector-emitter voltage
collector current (DC)
open base
continuous
-
-
-
-
15
0.5
V
A
[1]
continuous reverse voltage
continuous forward current
-
-
-
-
20
0.5
V
A
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| PMEM4010ND,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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