參數(shù)資料
型號(hào)： PMBT3640
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP 1 GHz switching transistor
中文描述： UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 31K
代理商： PMBT3640
September 1995
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP 1 GHz switching transistor
PMBT3640
DESCRIPTION
PNP general purpose switching
transistor in a SOT23 package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
Code: V25
base
emitter
collector
1
2
3
Fig.1 SOT23.
fpage
MSB003
Top view
1
2
3
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
55
12
12
4
80
350
150
175
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
up to T
s
= 85
°
C (note 1)
SYMBOL
PARAMETER
THERMAL RESISTANCE
R
th j-s
from junction to soldering point (note 1)
260 K/W
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PMBT3904,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SW 200MA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMBT3904,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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