參數(shù)資料
型號： PMBFJ212
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel field-effect transistors
中文描述： 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： PMBFJ212
1997 Dec 01
5
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
PMBFJ210; PMBFJ211; PMBFJ212
Fig.2
Drain current as a function of gate-source
cut-off voltage; typical values.
V
DS
= 15 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
IDSS
(mA)
0
2
4
6
30
10
0
20
MGM277
VGSoff (V)
Fig.3
Common-source transfer admittance as a
function of gate-source cut-off voltage;
typical values.
V
DS
= 15 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
2
4
6
0
4
8
MGM278
VGSoff (V)
yfs
(mS)
Fig.4
Common-source output conductance as a
function of gate-source cut-off voltage;
typical values.
V
DS
= 15 V; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
gos
(
μ
S)
0
2
4
6
60
20
0
40
MGM279
VGSoff (V)
Fig.5 Output characteristics; typical values.
PMBFJ210.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
10
6
2
0
4
2
4
6
8
MGM280
VDS (V)
VGS = 0 V
200 mV
400 mV
600 mV
800 mV
1 V
1.2 V
1.4 V
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