參數(shù)資料
型號： PMBFJ212
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel field-effect transistors
中文描述： 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： PMBFJ212
1997 Dec 01
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
PMBFJ210; PMBFJ211; PMBFJ212
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
±
25
25
25
10
250
150
150
UNIT
V
DS
V
GSO
V
DGO
I
G
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
gate-source voltage
drain-gate voltage
forward gate current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
65
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
open drain
open source
T
amb
≤
25
°
C; note 1; see Fig.13
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient; note 1
500
K/W
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