參數(shù)資料
型號： PMBFJ211
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel field-effect transistors
中文描述： 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： PMBFJ211
1997 Dec 01
9
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
PMBFJ210; PMBFJ211; PMBFJ212
Fig.16 Common source inputadmittance as a
function of frequency; typical values.
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
yis
(mS)
2
10
1
10
1
10
2
MGM291
10
10
2
10
3
f (MHz)
gis
bis
Fig.17 Common source transfer admittance as
a function of frequency; typical values.
handbook, halfpage
2
10
1
MGM292
10
10
2
10
3
yfs
(mS)
f (MHz)
gfs
bfs
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; T
amb
= 25
°
C.
Fig.18 Common source reverseadmittance as
a function of frequency; typical values.
handbook, halfpage
yrs
(mS)
1
10
1
10
2
10
3
MGM293
10
10
2
10
3
f (MHz)
brs
grs
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; T
amb
= 25
°
C.
Fig.19 Common source outputadmittance as
a function of frequency; typical values.
handbook, halfpage
MGM294
10
10
2
10
3
1
10
1
10
2
yos
(mS)
f (MHz)
gos
bos
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; T
amb
= 25
°
C.
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